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IPP120N06S4-03是MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2,包括OptiMOS-T2系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPP120NO6S403AKSA1 IPP120NO 6S403AKSA 2 IPP120N 6S403XK SP001028768,该产品提供单位重量功能,如0.211644盎司,商品名设计用于OptiMOS,以及TO-220-3封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件为1 N信道晶体管类型,该器件具有120 a的Id连续漏极电流,Vds漏极-源极击穿电压为60 V,Rds漏极源极电阻为2.8 mOhm,晶体管极性为N信道。
IPP120N06S4-H1是MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS-T2,包括60 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计用于0.211644盎司的单位重量,晶体管类型如数据表注释所示,用于1 N沟道,提供晶体管极性功能,如N沟道、商品名设计用于OptiMOS,以及Si技术,该设备也可以用作OptiMOS-T2系列。此外,漏极源极电阻Rds为2.1 mOhms,该器件采用IPP120N06S4H1AKSA1 IPP120NO6S4H1KSA2 IPP120NO 6S4H1XK SP001028780零件别名,该器件具有一个封装管,封装外壳为TO-220-3,通道数为1通道,Id连续漏极电流为120 a。
IPP120N06S4H1AKSA2是MOSFET MOSFET,包括1个通道数的通道,它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表中显示了用于管的封装,该管提供部件别名功能,如IPP120NO6S4-H1 IPP120NO 6S4H1XK SP001028780,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,晶体管类型为1 N沟道。