9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFP360PBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFP360PBF价格参考5.31000美元。Vishay Siliconix IRFP360PBF封装/规格:MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3。您可以下载IRFP360PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFP360是MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC,包括管封装,设计用于1.340411盎司单位重量的操作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-247-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供280 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为67 ns,上升时间为79 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为23 A,Vds漏极-源极击穿电压为400V,Rds漏极漏极-漏极电阻为200mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为100ns,典型接通延迟时间为18ns,沟道模式为增强。
IRFP350PBF是MOSFET N-CH 400V 16A TO-247AC,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量如数据表注释所示,用于1.340411盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如16 ns,典型的关闭延迟时间设计为87 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件的上升时间为49 ns,器件的漏极电阻为300 mOhms,Pd功耗为190 W,封装为管,封装外壳为TO-247-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为16 A,下降时间为47 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IRFP360LC是由IR制造的MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC。IRFP360L可在TO-247-3封装中获得,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH400V 23A TO-247AC、N沟道400V 23A(Tc)280W(Tc)通孔TO-247-33、Trans MOSFET N-ch400V 23A 3引脚(3+Tab)TO-247AC-。