9icnet为您提供由Toshiba Semiconductor and Storage设计和生产的TK5P60W、RVQ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TK5P60W，RVQ价格参考1.77000美元。东芝半导体和存储TK5P60W，RVQ封装/规格：MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK。您可以下载TK5P60W、RVQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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TK5P50D（T6RSS-Q）是MOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm，包括卷筒封装，设计用于0.139332 oz单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供80 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为4.4V，Rds导通漏极-源极电阻为1.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为11nC，正向跨导最小值为0.8S，沟道模式为增强。
TK5P53D（T6RSS-Q）是MOSFET N-Ch MOS 5A 525V 80W 540pF 1.5Ohm，包括525 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.139332 oz。数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作80W Pd功耗。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为5A。
TK5A53D是TOS制造的MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS。TK5A53D采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS。
TK5A65DA是TOS制造的MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS。TK5A65DA采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS。
