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PHB32N06LT,118

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 最大功耗: 97W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.42977 10.42977
10+ 9.29988 92.99884
100+ 7.24941 724.94190
800+ 5.98843 4790.74400
1600+ 4.72773 7564.36960
  • 库存: 6696
  • 单价: ¥10.42978
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.43
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 34A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 37毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5伏、5伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1280 pF@25 V
  • 最大功耗 97W(Tc)

PHB32N06LT,118 产品详情

PHB32N06LT,118所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PHB32N06LT,118 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PHB32N06LT,118价格参考¥10.429776,你可以下载 PHB32N06LT,118中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PHB32N06LT,118规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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