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MRF8S26120HR3

  • 描述:晶体管类别: LDMOS 额定电压: 65 V 频率: 2.69GHz 输出端功率: 28瓦 供应商设备包装: NI-780H-2L
  • 品牌: 恩智浦 (NXP)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1,052.11814
  • 数量:
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  • 总计: ¥1,052.12
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 过时的
  • 晶体管类别 LDMOS
  • 电压检测值 28伏
  • 噪声系数 -
  • 额定电压 65 V
  • 制造厂商 恩智浦 (NXP)
  • 额定电流(单位:安培) -
  • 输出端功率 28瓦
  • 包装/外壳 SOT-957A
  • 供应商设备包装 NI-780H-2L
  • 电流检测值 900 mA
  • 增益 15.6分贝
  • 频率 2.69GHz
  • 色彩/颜色 -

MRF8S26120HR3 产品详情

MRF8S26120HR3和MRF8S26140HSR3设计用于频率从2620到2690 MHz的W-CDMA和LTE基站应用。可用于所有典型蜂窝基站调制格式的AB类和C类。

特色

  • 典型单载波W-CDMA性能:VDD=28伏,IDQ=900毫安,Pout=28瓦平均值,IQ幅度剪裁,信道带宽=3.84 MHz,输入信号标准杆数=7.5 dB@0.01%CCDF概率。频率Gps(dB)ηD(%)输出标准杆数(dB)ACPR(dBc)2620 MHz15.531.56.3–38.02655 MHz15.51.16.3–37.32690 MHz15.631.16.2–36.7
  • 能够处理10:1 VSWR,@32 Vdc,2655 MHz,135瓦CW输出功率(额定Pout的3 dB输入超速)
  • 典型Pout@1 dB压缩点±110瓦CW
  • 100%标准杆数测试保证输出功率能力
  • 用串联等效大信号阻抗参数和公共源S参数表征
  • 内部匹配,便于使用
  • 集成ESD保护
  • 更大的负栅源电压范围,以改进C类操作
  • 设计用于数字预失真误差校正系统
  • 针对Doherty应用程序进行了优化
  • 符合RoHS
  • 在磁带和卷轴中。R3后缀=每32 mm、13英寸卷筒250个单位。
MRF8S26120HR3所属分类:场效应射频晶体管,MRF8S26120HR3 由 恩智浦 (NXP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MRF8S26120HR3价格参考¥1052.118140,你可以下载 MRF8S26120HR3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MRF8S26120HR3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

恩智浦 (NXP)

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NXP Semiconductors是一家领先的嵌入式控制器供应商,为汽车、无线连接等多个行业提供广泛的MCU产品组合,包括基于Arm的处理器和微控制器。他们继续推动创新,为工业和汽车应用提供强大的电源...

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