9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD54008TR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD54008TR-E参考价格为11.16500美元。STMicroelectronics PD54008TR-E封装/规格：TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF。您可以下载PD54008TR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD54008S-E是RF MOSFET晶体管POWER R.F.，包括PD54008系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管，包装盒设计用于PowerSO-10RF（直引线），以及Si技术，该设备也可以在500MHz增益下用作11.5dB。此外，输出功率为8 W，该器件提供73 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，并且晶体管极性是N沟道。
PD54008L-E是TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于25 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及PD54008L-E系列，该器件也可以用作26.7W Pd功耗。此外，包装为卷轴式，该器件采用PowerFLAT（5x5）封装盒，该器件的输出功率为8 W，工作频率为1 GHz，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为5 a，500 MHz时的增益为15 dB。
PD54008L，带有ST制造的电路图。PD54008R采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
