9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD57006STR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD57006TR-E参考价格为16.19000美元。STMicroelectronics PD57006STR-E封装/规格：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF。您可以下载PD57006STR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD57006-E是RF MOSFET晶体管RF POWER TRANS，包括PD57006-E系列，它们设计用于RF功率MOSFET类型，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管，包装盒设计用于PowerSO-10RF（成型引线），以及Si技术，该设备也可以在945MHz增益下用作15dB。此外，输出功率为6 W，器件提供20 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为1 A，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，且晶体管极性为N沟道且正向跨导Min为0.58S。
PD57006S-E是RF MOSFET晶体管功率R.F.，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在65 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及PD57006-E系列，该器件也可以用作20W Pd功率耗散。此外，封装为管式，该器件采用PowerSO-10RF（直引线）封装盒，该器件输出功率为6 W，工作频率为1 GHz，安装方式为SMD/SMT，最小工作温度范围为-65 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1 a，945 MHz时增益为15 dB。
PD57006带有ST制造的电路图。PD57006可在MODULE封装中获得，是模块的一部分。
