N通道增强模式
雪崩额定值
低Qg和Rg
高dv/dt
纳秒开关
优势
•针对频率高达100MHz的射频和高速切换进行了优化
•易于安装，无需绝缘体
•高功率密度
特色
•隔离基板
−高隔离电压（>2500V）
−优异的热传递
−提高温度和功率循环能力
•IXYS高级低Qg工艺
•低栅极电荷和电容
−更易于驾驶
−更快的切换
•低RDS（开启）
•非常低的插入电感（<2nH）
•无氧化铍（BeO）或其他有害物质
DE275-102N06A
- 描述:晶体管类别: n通道 额定电压: 1000伏 额定电流（单位：安培）: 8A 输出端功率: 590W 供应商设备包装: DE275
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥126.53346
-
数量:
- +
- 总计: ¥126.53
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 过时的
- 噪声系数 -
- 电流检测值 -
- 频率 -
- 增益 -
- 电压检测值 -
- 晶体管类别 n通道
- 额定电压 1000伏
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 包装/外壳 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- 供应商设备包装 DE275
- 额定电流（单位：安培） 8A
- 输出端功率 590W
DE275-102N06A 产品详情
DE275-102N06A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DE246575 | ITT坎农 (ITT Cannon ) | DE246575 | ¥290.73001 |
| DE2L-ABLCY | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥799.77723 |
 | DE2E3SA102MN3AT02F | 村田制作所 (Murata) | 电容: 1000 pF 公差: ±20% 额定电压: 250VAC 温度系数: E 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥2.67987 |
 | DE2F3KY103MB3BM02F | 村田制作所 (Murata) | 电容: 10000 pF 公差: ±20% 额定电压: 250VAC 温度系数: F 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥7.38776 |
 | DE2B3KY471KB3BU02F | 村田制作所 (Murata) | 电容: 470 pF 公差: ±10% 额定电压: 300VAC 温度系数: B 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥3.25931 |
 | DE2E3KY222MA2BM01 | 村田制作所 (Murata) | 电容: 2200 pF 公差: ±20% 额定电压: 250VAC 温度系数: E 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥2.9551 |
 | DE2E3KY332MA2BM01 | 村田制作所 (Murata) | 电容: 3300 pF 公差: ±20% 额定电压: 250VAC 温度系数: E 包装/外壳: 径向，圆盘 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥1.72381 |
 | DE2S06800L | 松下电子元件 (Panasonic) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 4伏 供应商设备包装: SSMini2-F5-B 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥3.53251 |
| DE2V2S500A40LF | 连接端子种类: 插座，母插座 连接端子样式: D-Sub，组合 针位数: 2（电源） 排数: one 端接: 焊料 安装类别: 通孔，直角 | ¥34.99769 | |
| DE2V2S500A30LF | 连接端子种类: 插座，母插座 连接端子样式: D-Sub，组合 针位数: 2（电源） 排数: one 端接: 焊料 安装类别: 通孔，直角 | ¥52.86622 |
DE275-102N06A所属分类：场效应射频晶体管，DE275-102N06A 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DE275-102N06A价格参考￥126.533463，你可以下载 DE275-102N06A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DE275-102N06A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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