9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD57018STR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD57018STR-E参考价格为25.02500美元。STMicroelectronics PD57018STR-E封装/规格：晶体管RF POWERSO-10。您可以下载PD57018STR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD57018-E是RF MOSFET晶体管POWER RF晶体管，包括PD57018-E系列，它们设计用于RF功率MOSFET类型，包装如数据表注释所示，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的管中，包装盒设计用于PowerSO-10RF（成型引线），以及Si技术，该设备也可以在945MHz增益下用作16.5dB。此外，输出功率为18 W，器件提供31.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为65 V，漏极-源极电阻Rds为760mOhms，晶体管极性为N沟道，正向跨导Min为1S。
PD57018S-E是MOSFET 8位MICROCONTR，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们被设计为在65 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供N沟道等晶体管极性特性，技术设计用于Si，以及PD57018-E系列，该器件也可以用作760mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为31.7 W，该器件采用管式封装，该器件具有SO-10封装外壳，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最低工作温度范围为-65 C，最高工作温度范围+165 C，Id连续漏电流为2.5 a，并且前向跨导Min为1S，并且配置为Single，并且信道模式为Enhancement。
PD57018S是由ST制造的RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 945MHz 16.5dB 18W 10 PowerSO。PD57018S以SO-10RF封装形式提供，是模块的一部分，并支持RF Mosfet NMOS 28V 100mA 945MHz 16.5 dB 18W 10PowerSO。
