9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD85035S-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD85035S-E参考价格为25.41000美元。STMicroelectronics PD85035S-E封装/规格：FET RF 40V 870MHZ。您可以下载PD85035S-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD85035C是RF MOSFET晶体管RF功率转换器。LDMOST系列，包括PD85035C系列，设计用于RF功率MOSFET型，封装如数据表注释所示，用于散装，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于M243以及Si技术，该器件也可在945MHz增益下用作14.5 dB。此外，输出功率为35 W，该器件提供108 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且晶体管极性是N沟道。
PD85035A-E是TRANS RF PWR LDMOST POWERSO10，包括RF功率MOSFET型，它们设计用于使用Si技术，系列如数据表注释所示，用于PD85035-E，该产品具有管等封装功能。
PD85035-E是由ST制造的TRANS RF POWER LDMOST N-CH。PD85035-E采用PowerSO-10RF暴露底部衬垫（2个成型引线）封装，是RF FET的一部分，并支持TRANS RF POWER LDMOST N-CH、RF Mosfet LDMOS 13.6V 350mA 870MHz 17dB 15W PowerSO-10F（成型引线）、TRANS RF Mosfet N-CH 40V 8A 3引脚PowerSO-10R（成型引线管）。
