9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的PD55035STR-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。PD55035STR-E的参考价格为29.99500美元。STMicroelectronics PD55035STR-E封装/规格：FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10。您可以下载PD55035STR-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PD55035S-E是RF MOSFET晶体管功率RF晶体管，包括PD55035-E系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，包装如数据表注释所示，用于管中，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerSO-10RF（直引线），以及Si技术，该设备也可以在500MHz增益下用作16.9dB。此外，输出功率为35W，该器件提供95W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，且晶体管极性为N沟道且正向跨导Min为2.5S。
PD55035-E是RF MOSFET晶体管RF功率晶体管LDMOST塑料N Ch，包括+/-20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作95W Pd功率耗散。此外，封装为管状，该器件采用PowerSO-10RF（成型铅）封装盒，该器件输出功率为35W，工作频率为1GHz，安装方式为SMD/SMT，最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7 a，在500MHz时增益为16.9dB。
带有ST制造的电路图的PD55035S。PD55035S采用so-10rf封装，是模块的一部分。
