9icnet为您提供由中央半导体公司（Central Semiconductor Corp）设计和生产的2N4340，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4340参考价格为106.745776美元。中央半导体公司2N4340封装/规格：JFET N-CH 50V TO18。您可以下载2N4340英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N4339是MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA，包括散装封装，它们设计用于通孔安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-206A a、TO-18-3金属罐，提供Si等技术特性，安装类型设计用于通孔中，以及TO-206A（TO-18）供应商设备封装，该设备也可以用作单一配置。此外，FET类型为N沟道，该器件的最大功率为300mW，该器件具有50V的电压击穿V BRGSS，电流漏Idss Vds Vgs=0为500μa@15V，电压截止Vgs截止Id为600mV@100nA，输入电容Ciss Vds为7pF@15V、Pd功耗为300mW、Id连续漏电流为100pA，Vds漏极-源极击穿电压为15V，Rds漏极上-源极电阻为1.7k欧姆，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为800uS，Vgs栅极-源极耐压为-50V，栅极-源截止电压为-1.8V。
2N4339-2是MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA，包括600mV@100nA电压切断VGS关断Id，它们设计用于50V电压击穿V BRGSS，VGS栅极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-50 V，提供晶体管极性特性，如N沟道，供应商设备包设计用于TO-206A（TO-18），除了300mW最大功率外，该设备还可以用作散装包装。此外，封装外壳为TO-206AA、TO-18-3金属罐，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型通孔，输入电容Ciss Vds为7pF@15V，FET类型为N沟道，漏电流Idss Vds Vgs=0为500μa@15V。
2N4339-E3是MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA，包括单一配置，它们设计为在500μa@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0的情况下工作，FET类型如数据表注释所示，用于N通道，提供输入电容Ciss Vds特性，如7pF@15V，安装类型设计为在通孔中工作，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作TO-206AA、TO-18-3金属罐包装盒。此外，封装为散装，该器件以300mW最大功率提供，该器件具有供应商器件封装的TO-206AA（TO-18），晶体管极性为N沟道，Vgs栅极-源极击穿电压为-50 V，电压击穿V BRGSS为50V，电压截止Vgs关断Id为600mV@100nA。
