9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STS8DNH3LL,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STS8DNH3LL价格参考2.056美元。STMicroelectronics STS8DNH3LL封装/规格:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC。您可以下载STS8DNH3LL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STS8DN3LLH5是MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO,包括STripFET?V系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.019048盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装外壳设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供2通道数量的通道,器件具有8-SO供应商器件封装,配置为双通道,FET类型为2 N通道(双通道),功率最大值为2.7W,晶体管类型为2 N沟道,漏极至源极电压Vdss为30V,输入电容Cis-Vds为724pF@25V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为10A,最大Id Vgs上的Rds为19mOhm@5A,10V,Vgs最大Id为1V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为5.4nC@4.5V,Pd功耗为2.7W,下降时间为3.5ns,上升时间为4.2ns,Vgs栅极-源极电压为22V,Id连续漏极电流为10A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Vgs栅-源极阈值电压为1V,Rds漏极电阻为15.5mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为21.1ns,典型接通延迟时间为4ns,Qg栅极电荷为5.4nC。
STS8DNF3LL是MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC,包括1V@250μA Vgs th Max Id,设计用于与8-SO供应商设备包一起工作,系列如数据表注释所示,用于STripFET?二、 提供Rds On Max Id Vgs功能,例如20 mOhm@4A,10V,Power Max设计为1.6W,以及Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging,该器件也可以用作8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装盒,其工作温度范围为150°C(TJ),该器件为表面安装型,该器件具有800pF@25V的输入电容Cis-Vds,栅极电荷Qg-Vgs为17nC@5V,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为30V,电流连续漏极Id 25°C为8A。
STS8DNF30L,带有ST制造的电路图。STS8DNF30L以SOP封装形式提供,是IC芯片的一部分。