9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDB5645，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB5645参考价格3.52000美元。其他FDB5645封装/规格：MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK。您可以下载FDB5645英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB52N20TM是MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供250 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为150 ns，上升时间为160 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为52 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为49mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为150ns，典型接通延迟时间为30ns，正向跨导最小值为35S，沟道模式为增强。
FDB50N06，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDB50N06采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
FDB52N20，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDB52N20采用TO263封装，是FET的一部分-单个。
