RJ1L12BGNTLL
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Ta） 最大功耗: 192W（Ta） 供应商设备包装: TO-263AB 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 49.61386 | 49.61386 |
| 10+ | 44.55832 | 445.58321 |
| 100+ | 36.51001 | 3651.00100 |
| 500+ | 31.08000 | 15540.00400 |
| 1000+ | 26.21205 | 26212.05500 |
| 2000+ | 25.53122 | 51062.44600 |
- 库存: 1000
- 单价: ¥49.61387
-
数量:
- +
- 总计: ¥49.61
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规格参数
- 高度（英寸） -
- 长（英寸） -
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 TO-263AB
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 175 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.9毫欧姆@40A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@500A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9000 pF @ 30 V
- 最大功耗 192W（Ta）
- 色彩/颜色 -
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | RJ13B101 | 台湾日电产科宝电子 (Nidec Copal ) | 调整类型: 顶部调整 电阻: 100欧姆 公差: ±10% 功率（瓦特）: 0.75瓦，3/4瓦 端接样式: 焊接钩 安装类别: 面板安装 | ¥21.48824 |
 | RJ13B102 | 台湾日电产科宝电子 (Nidec Copal ) | 调整类型: 顶部调整 电阻: 1千欧姆 公差: ±10% 功率（瓦特）: 0.75瓦，3/4瓦 端接样式: 焊接钩 安装类别: 面板安装 | ¥21.48824 |
 | RJ13B103 | 台湾日电产科宝电子 (Nidec Copal ) | 调整类型: 顶部调整 电阻: 10千欧姆 公差: ±10% 功率（瓦特）: 0.75瓦，3/4瓦 端接样式: 焊接钩 安装类别: 面板安装 | ¥21.48824 |
 | RJ13B104 | 台湾日电产科宝电子 (Nidec Copal ) | 调整类型: 顶部调整 电阻: 100千欧姆 公差: ±10% 功率（瓦特）: 0.75瓦，3/4瓦 端接样式: 焊接钩 安装类别: 面板安装 | ¥21.48824 |
RJ1L12BGNTLL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RJ1L12BGNTLL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RJ1L12BGNTLL价格参考￥49.613865，你可以下载 RJ1L12BGNTLL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RJ1L12BGNTLL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
