1.低导通状态电阻。
2.超高速切换。
3.转换器。
4.无云母封装，便于安装。
Ta=25°C时的绝对最大额定值
1.漏极到源极电压：VDSS=100 V
2.栅源电压：VGSS=±20 V
3.漏极电流（DC）：ID=25 A
4.漏极电流（脉冲）：IDP=100 A
5.允许功耗：PD=2.0 W
应用
超高速切换
文件中的其他数据表：K1432
2SK1432
- 描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 134
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 134+ | 16.29652 | 2183.73435 |
- 库存: 1583
- 单价: ¥16.29653
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,183.73
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 技术 -
- 场效应管类型 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
2SK1432 产品详情
2SK1432 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SK1958-T1-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1958-T1-A - N-CHANNEL MOS FET | ¥0.44971 |
| 2SK1581-T1B-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK1581-T1B-A - SWITCHING N-CHAN | ¥1.17284 |
| 2SK3377-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3377-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥5.55827 |
| 2SK2054-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2054 - SWITCHING P-CHANNEL PO | ¥5.56219 |
| 2SK3435-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥17.40049 |
| 2SK3435-Z-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3435-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN | ¥17.40049 |
| 2SK3431-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3431-AZ - SWITCHING N-CHANNEL | ¥19.13277 |
| 2SK2461-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK2461 - SILICON N CHANNEL MOSF | ¥19.96158 |
| 2SK3447TZ-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL | ¥2.75629 |
| 2SK3455B-S17-AY | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SK3455B - SWITCHING N-CHANNEL P | ¥22.44698 |
2SK1432所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2SK1432 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SK1432价格参考￥16.296525，你可以下载 2SK1432中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SK1432规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
