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NTHL095N65S3H

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 47.29613 47.29613
10+ 42.50858 425.08580
100+ 34.82531 3482.53120
500+ 29.64634 14823.17450
1000+ 28.41244 28412.44800
  • 库存: 10305
  • 单价: ¥47.29614
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥47.30
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 至247-3
  • 最大功耗 208W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 58 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 95毫欧姆@15A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 2.8毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2833 pF@400 V
  • 色彩/颜色 -

NTHL095N65S3H 产品详情

NTHL095N65S3H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTHL095N65S3H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTHL095N65S3H价格参考¥47.296137,你可以下载 NTHL095N65S3H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTHL095N65S3H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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