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R6535KNZ4C13

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta) 最大功耗: 379W (Tc) 供应商设备包装: TO-247G 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 27.59544 27.59544
10+ 24.76347 247.63475
100+ 20.29026 2029.02600
500+ 17.27257 8636.28900
1000+ 14.56721 14567.21000
2000+ 14.18884 28377.68200
  • 库存: 568
  • 单价: ¥27.59545
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥27.60
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 72 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Ta)
  • 供应商设备包装 TO-247G
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3000 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 115毫欧姆@18.1A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 1.21毫安
  • 最大功耗 379W (Tc)
  • 色彩/颜色 -

R6535KNZ4C13 产品详情

R6535KNZ4C13所属分类:分立场效应晶体管 (FET),R6535KNZ4C13 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。R6535KNZ4C13价格参考¥27.595449,你可以下载 R6535KNZ4C13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询R6535KNZ4C13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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