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NTH4LN067N65S3H

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 266W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 48.23771 48.23771
10+ 43.58052 435.80529
100+ 36.08195 3608.19550
500+ 32.24915 16124.57850
  • 库存: 2250
  • 单价: ¥48.23771
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥48.24
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 80 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 供应商设备包装 TO-247-4
  • 包装/外壳 至247-4
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 67毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 3.9毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3750 pF @ 400 V
  • 最大功耗 266W(Tc)

NTH4LN067N65S3H 产品详情

NTH4LN067N65S3H所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTH4LN067N65S3H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTH4LN067N65S3H价格参考¥48.237714,你可以下载 NTH4LN067N65S3H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTH4LN067N65S3H规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

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