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IPP65R095C7是MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS，包括XPP65R095系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP65R595C7XKSA1 SP001080122中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.081130盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS C7商品名，该装置也可用作TO-220包装箱。此外，该技术是Si，该器件以单配置提供，该器件具有128 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为24 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为84mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为45nC，沟道模式为增强。
IPP65R074C6XKSA1是MOSFET N-Ch 700V 57.7A TO220-3，包括700 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于CoolMOS以及Si技术，该设备也可以用作IPP65R074系列。此外，Rds漏极源极电阻为74 mOhms，该器件采用IPP65R074C6 IPP65R174C6XK SP000898650零件别名，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为57.7 a。
IPP65R095C7XKSA1带有电路图，包括TO-220-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPP65R195C7 SP001080122的零件别名，该产品提供Si等技术特性，商品名设计用于CoolMOS。
