9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPA60R165CP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPA60R165CP价格参考2.37000美元。Infineon Technologies IPA60R165CP封装/规格：MOSFET N-CH 600V 21A TO220。您可以下载IPA60R165CP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPA60R165CP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如IPA60R165CP库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
IPA60R160C6是MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPA60R160C6XK IPA60R160k6XKSA1 SP000652794中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为34 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为23.8A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为160mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型导通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为75nC。
IPA60R160P6是MOSFET N-CH 600V TO220FP-3，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.211644 oz。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及XPA60R160系列，该器件也可以用作160欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为IPA60R160P6XKSA1 SP001017082，该设备采用管式封装，该设备具有TO-220-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为150 a。
带有电路图的IPA60R160P6XKSA1，包括1个通道数的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管中的封装，该管提供零件别名功能，如IPA60R160 P6 SP001017082，技术设计为在Si中工作，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作N通道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
