9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的TSM4ND65CI，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TSM4ND65CI参考价格为1.19000美元。台湾半导体公司TSM4ND65CI封装/规格：MOSFET N-CH 650V 4A ITO220。您可以下载TSM4ND65CI英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TSM4NB60CZ C0是MOSFET 600V N通道MOSFET，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Id连续漏极电流为4 A，器件提供600 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有2.5欧姆的Rds漏极源极电阻，晶体管极性为N沟道。
TSM4NB60CP RO是MOSFET 600V N通道MOSFET，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作。数据表说明中显示了用于1 N通道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N通道，技术设计为在Si中工作，以及2.5欧姆Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为4A。
TSM4NB65CZ C0G带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
TSM4NB60CP带有由TS制造的EDA/CAD模型。TSM4NB60CP以TO252封装形式提供，是IC芯片的一部分。
