福利
● 改进的门、雪崩和动态dV/dt耐用性
● 完全表征的电容和雪崩SOA
● 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力
应用
● SMPS中的高效同步整流
● 不间断电源
● 高速电源开关
● 硬开关和高频电路
IRFS4410TRLPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 88A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 32.88276 | 32.88276 |
| 10+ | 29.50757 | 295.07575 |
| 100+ | 24.17535 | 2417.53520 |
| 800+ | 20.66254 | 16530.03600 |
- 库存: 3139
- 单价: ¥28.53703
-
数量:
- +
- 总计: ¥32.88
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 180 nC@10 V
- 最大功耗 200W（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 150A
- 供应商设备包装 PG-TO263-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 88A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@58A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5150 pF @ 50 V
IRFS4410TRLPBF 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFS4410TRLPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFS4410TRLPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFS4410TRLPBF价格参考￥28.537026，你可以下载 IRFS4410TRLPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFS4410TRLPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
