9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPW11N60S5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPW11N60S5参考价格为1.74000美元。Infineon Technologies SPW11N60S5封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载SPW11N60S5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SPW11N60CFD是MOSFET N-CH 650V 11A TO-247，包括CoolMOS CFD系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000014534 SPW11N600CFDFKSA1 SPW11N6CFDXK，提供单位重量功能，如1.340411盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为440mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为34ns，沟道模式为增强。
SPW11N60C3是MOSFET N-CH 650V 11A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为44 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为5 ns，漏极电阻Rds为380 mOhms，Pd功耗为125 W，零件别名为SP000013728 SPW11N60C3FKSA1 SPW11N6C3XK，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPW11N60C2，电路图由FEELING制造。SPW11N60C2在TO247封装中提供，是IC芯片的一部分。
