9icnet为您提供由其他公司设计和生产的IRF362，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF362参考价格为9.17000美元。其他IRF362封装/规格：N通道HERMETIC MOS HEXFET。您可以下载IRF362英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF3546MTRPBF具有引脚细节，包括替代封装，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），FET类型如数据表注释所示，用于4N通道，提供漏极到源极电压Vdss功能，如25V，输入电容Cis-Vds设计为在1310pF@13V下工作，以及逻辑电平门FET功能，该器件也可作为16A（Tc）、20A（Tc）电流连续漏极Id 25°C使用。此外，Rds On Max Id Vgs为3.9 mOhm@27A，10V，该器件的最大Id为2.1V@35μA Vgs，该器件具有15nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs。
IRF3575DTRPBF带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于32-PQFN（6x6）供应商设备包，数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）的包装，该磁带和卷轴提供了32 PowerWFQFN等包装箱功能，安装类型设计用于表面安装，以及2 N通道（双）FET类型，该器件也可以用作标准FET特征。此外，漏极到源极电压Vdss为25V，该器件以303A（Tc）电流连续漏极Id 25°C提供。
IRF3610S带有由IR制造的电路图。IRF3610S采用D2PAK封装，是FET的一部分-单个。
IRF3610STRLPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK。IRF3610STRLPBF有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 103B D2PAK、N沟道100V 103C（Tc）333W（Tc，D2巴基斯坦。
