9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFP27N60KPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFP27N60KPBF参考价格为10.27000美元。Vishay Siliconix IRFP27N60KPBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3。您可以下载IRFP27N60KPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFP26N60LPBF是MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC，包括管封装，设计用于1.340411盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供470 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为26 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为210mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为31ns，正向跨导最小值为13S，沟道模式为增强。
IRFP27N60K是MOSFET N-CH 600V 27A TO-247AC，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如27 ns，典型的关闭延迟时间设计为43 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为硅，器件的上升时间为110纳秒，器件的漏极电阻为220毫欧姆，Pd功耗为500瓦，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为27A，下降时间为38ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFP27N60，带有由IR制造的电路图。IRFP27N80采用TO-247封装，是FET的一部分-单个。
