这些器件是n沟道增强型功率MOSFET，专为高电压、高电压应用而设计，如离线开关电源、UPS、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器。
•额定电压为±20V的VGS
•快速开关速度的硅门
•IDSS。高温下规定的VDs（on）、SOA和VQS（ih）
•坚固耐用
IRF431
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 262
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 262+ | 8.32933 | 2182.28577 |
- 库存: 1201
- 单价: ¥8.32934
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,182.29
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规格参数
- 高度（英寸） -
- 长（英寸） -
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 最大功耗 75W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 450伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 800 pF @ 25 V
- 制造厂商
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 TO-3
- 包装/外壳 至204AA，至3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A
- 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@2.5A，10V
- 色彩/颜色 -
IRF431 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF431所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF431 由 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF431价格参考￥8.329335，你可以下载 IRF431中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF431规格参数、现货库存、封装信息等信息！