9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STU13N60M2,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STU13N60M2参考价格$1.71000。STMicroelectronics STU13N60M2封装/规格:MOSFET N-CH 600V 11A IPAK。您可以下载STU13N60M2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STU13005N是TRANS NPN 400V 3A IPAK,包括500V至1000V晶体管系列,它们设计用于管式封装,单位重量如数据表注释所示,用于0.13932盎司,具有通孔等安装类型特征,封装盒设计用于to-251-3短引线、IPAK、to-251AA以及通孔安装类型,该设备也可以用作I-Pak供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的最大功率为30W,该设备具有晶体管型NPN,集电器Ic最大值为3A,集电器-发射极击穿最大值为400V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为10@1A,5V,Vce饱和最大值Ib Ic为5V@750mA,3A,集电器截止最大值为1mA,Pd功耗为30W,它的最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围是-65℃,集电极-发射极电压VCEO最大值为400 V,晶体管极性为NPN,集电极/发射极饱和电压为0.5 V,最大直流集电极电流为6 A,连续集电极电流为3 A,直流集电极基极增益hfe最小值为8,并且DC电流增益hFE Max为24。
带有用户指南的STU13N60M2,包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压,它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于650 V,提供单位重量功能,例如0.13932 oz,典型开启延迟时间设计为11 ns,以及41 ns典型关闭延迟时间,该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外,晶体管极性为N沟道,该器件采用Si技术,该器件具有串联的MDmesh M2,上升时间为10ns,Rds漏极-源极电阻为380mOhms,Qg栅极电荷为17nC,Pd功耗为110W,封装为管,封装外壳为IPAK-3,通道数为1沟道,安装类型为通孔,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏电流为11 A,下降时间为9.5 ns,配置为单一。
带有电路图的STU13N65M2,包括通孔安装型,设计用于IPAK-3包装箱,包装如数据表注释所示,用于管中,提供MDmesh M2等系列功能,技术设计用于Si,以及0.13932盎司单位重量。