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AUIRFSA8409-7P具有引脚细节,包括管封装,它们设计用于SMD/SMT安装方式,封装盒如数据表注释所示,用于D2PAK-7,提供Si等技术特性,通道数设计用于1通道,以及1 N通道配置,该设备也可用作1 N通道晶体管类型。此外,Pd功耗为375 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-55 C,下降时间为90 ns,上升时间为94 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-20 V,Id连续漏极电流为523A,Vds漏极-源极击穿电压为40 V,并且Vgs第栅极-源极阈值电压为2.2V,Rds漏极-源极电阻为690mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为150ns,典型接通延迟时间为21ns,Qg栅极电荷为305nC,正向跨导Min为180S,沟道模式为增强。
AUIRFS8409TRR带有用户指南,包括40 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为在0.13932盎司单位重量下工作,晶体管类型如数据表注释所示,用于1 N通道,提供晶体管极性功能,如N通道,商品名设计用于CoolIRFet,以及Si技术,该器件也可以用作970μΩRds漏极-源极电阻。此外,Qg栅极电荷为300 nC,该器件提供375 W Pd功耗,该器件具有一卷封装,封装盒为TO-252-3,信道数为1信道,安装类型为SMD/SMT,Id连续漏电流为195 a。
AUIRFSA8409-7TRL带有电路图,包括卷筒包装,它们设计为使用硅技术操作。