9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF10N60DM2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF10N60DM2参考价格1.74000美元。STMicroelectronics STF10N60DM2封装/规格：MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP。您可以下载STF10N60DM2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF10N105K5带有引脚细节，包括MDmesh K5系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220FP-3以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置是单一的，该器件以30W Pd功耗提供，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为21.5 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为1050 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-源极电阻为1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为21.5nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的STF10150，包括1.2V@10A正向电压Vf Max，如果它们设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于ITO-220AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，包装设计为在管中工作，以及to-220-2绝缘、to-220AC包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有150μa@150V的电流反向泄漏Vr。
带电路图的STF1060，包括850μA@60V电流反向泄漏Vr，设计用于肖特基二极管型，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，包装箱设计用于to-220-2绝缘、to-220AC以及管包装，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，供应商设备包为ITO-220AC，该设备提供60V电压DC反向Vr Max，该设备具有650mV@10A电压正向Vf Max If。
STF10LN80K5是由ST制造的“MOSFET N沟道800V”。STF10LN80 K5采用TO-220FP封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N-沟道800 V、N沟道800伏8A（Tc）25W（Tc）通孔TO-220FP、Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3引脚（3+Tab）TO-220FPTube、MOSFET N信道800伏、0.55欧姆典型值。，TO-220FP封装中的8 A MDmesh K5功率MOSFET。
