英飞凌的AECQ-101汽车认证单芯片N通道器件的全面组合解决了许多应用中的各种电源需求。这一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装,以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
AUIRF1010EZ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 259
数量 | 单价 | 合计 |
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259+ | 8.40176 | 2176.05687 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
- 供应商设备包装 TO-220AB
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 86 nC @ 10 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 75A (Tc)
- 最大功耗 140W(Tc)
- 制造厂商
- 导通电阻 Rds(ON) 8.5毫欧姆 @ 51A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2810 pF@25 V
AUIRF1010EZ 产品详情
Infineon汽车N沟道功率MOSFET
AUIRF1010EZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AUIRF1010EZ 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。AUIRF1010EZ价格参考¥8.401764,你可以下载 AUIRF1010EZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AUIRF1010EZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!