9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD9210PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD9210PBF价格参考1.78000美元。Vishay Siliconix IRFD9210PBF封装/规格：MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP。您可以下载IRFD9210PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFD9120PBF是MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP，包括管封装，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为29纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1A，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，Rds漏极源极电阻为600 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为9.6ns，沟道模式为增强。
IRFD9123是MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.022575盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作600m欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为18nC，该器件提供1.3W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为DIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为1A，配置为单通道。
IRFD9210是由IR制造的MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP。IRFD92110可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH200V 0.4A4-DIP、P沟道200V 400mA（Ta）1W（Ta）通孔4-DIP、Hexdip、HVMDIP、Trans MOSFET P-CH200V 0.4A4-Pin HVMDIP。
