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FDB6670AS

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Ta) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 170

数量 单价 合计
170+ 12.81993 2179.38861
  • 库存: 5998
  • 单价: ¥12.81993
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,179.39
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 62.5W (Tc)
  • 制造厂商
  • 供应商设备包装 D2PAK (TO-263)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 62A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.5毫欧姆 @ 31A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 39 nC @ 15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1570 pF@15 V

FDB6670AS 产品详情

FDB6670AS所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDB6670AS 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDB6670AS价格参考¥12.819933,你可以下载 FDB6670AS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDB6670AS规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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