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IRF9540STRLPBF是MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供150 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为57 ns，上升时间为73 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为19 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds漏极源极电阻为200mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为16ns，沟道模式为增强。
IRF9540STRPBF和IR制造的用户指南。IRF9540STRPBF以SOT-263封装形式提供，是IC芯片的一部分。
IRF9540STRPBF是由IR制造的Trans-MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin（2+Tab）D2PAK T/R。IRF9540STRRPBF采用TO-263封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSMOSFET P-CH 100 V 19A 3-Pin（2+Tab）D2PAK-T/R。
