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IRF640STRRPBF是MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为36 ns，上升时间为51 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为18 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IRF640STRR是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK。IRF640STRR有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH200V 18B D2PAK、N沟道200V 18C（Tc）3.1W（Ta）、130W（Tc。
IRF641带有由IR制造的电路图。IRF641采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
IRF642具有由IR制造的EDA/CAD模型。IRF642采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
