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AUIRLR014NTRR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms，包括卷筒封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供28 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅源电压为+/-16 V，Id连续漏电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds漏极源极导通电阻为140mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为7.9nC，正向跨导Min为3.1S。
AUIRLR024N是MOSFET N-CH 55V 17A DPAK，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为74 ns，器件的漏极-源极电阻为65 mOhm，Qg栅极电荷为10 nC，Pd功耗为45 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为17A，并且下降时间为29ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
AUIRLR024NPBF，带有由IR制造的电路图。AUIRLR1024 NPBF在TO252封装中提供，是IC芯片的一部分。
