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STWA65N65DM2AG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 446W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 85.46622 85.46622
10+ 77.18758 771.87585
100+ 63.90338 6390.33820
500+ 57.11519 28557.59600
  • 库存: 600
  • 单价: ¥77.64389
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥85.47
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 120 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5500 pF @ 100 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 30A, 10V
  • 最大功耗 446W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-247 Long Leads
  • 色彩/颜色 -

STWA65N65DM2AG 产品详情

STWA65N65DM2AG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STWA65N65DM2AG 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STWA65N65DM2AG价格参考¥77.643888,你可以下载 STWA65N65DM2AG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STWA65N65DM2AG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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