9icnet为您提供由其他公司设计和生产的2SK3818-DL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SK3818-DL-E参考价格为0.41000美元。其他2SK3818-DL-E封装/规格：N沟道硅MOSFET。您可以下载2SK3818-DL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2SK3817-DL-E是MOSFET NCH 4V DRIVE系列，包括卷筒封装，它们设计为在0.13932盎司单位重量下工作，封装盒如数据表注释所示，用于to-252-3，提供Si、Id等技术特性，连续漏电流设计为在60 a下工作，以及60 V Vds漏源击穿电压，该器件也可以用作15毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，晶体管极性为N沟道。
2SK3816-E，带有SANYO制造的用户指南。2SK3816-E采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
2SK3816-TH-DL-E，电路图由SANYO制造。2SK3816-TH-DL-E采用TO263封装，是IC芯片的一部分。
2SK3818，带有SANYO制造的EDA/CAD模型。2SK3818采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。