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FCPF7N60

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 16.94838 16.94838
10+ 15.23906 152.39062
100+ 12.24702 1224.70200
500+ 10.06241 5031.20800
1000+ 9.14763 9147.63800
  • 库存: 1425
  • 单价: ¥14.55823
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.95
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 供应商设备包装 TO-220F-3
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 920 pF@25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 600毫欧姆 @ 3.5A, 10V
  • 最大功耗 31W (Tc)
  • 色彩/颜色 -

FCPF7N60 产品详情

特征
•650 V@TJ=150℃
•典型值。RDS(开启)=530 mΩ
•超低栅极电荷(典型Qg=23 nC)
•低有效输出电容(典型cos(eff.)=60 pF)
•100%雪崩测试
•符合RoHS

特色

  • 650V@TJ=150°C
  • 类型。RDS(开)=530mΩ
  • 超低栅极电荷(典型Qg=23nC)
  • 低有效输出电容(Typ.Coss.eff=60pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FCPF7N60所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FCPF7N60 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FCPF7N60价格参考¥14.558229,你可以下载 FCPF7N60中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FCPF7N60规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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