特征
•650 V@TJ=150℃
•典型值。RDS(开启)=530 mΩ
•超低栅极电荷(典型Qg=23 nC)
•低有效输出电容(典型cos(eff.)=60 pF)
•100%雪崩测试
•符合RoHS
特色
- 650V@TJ=150°C
- 类型。RDS(开)=530mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg=23nC)
- 低有效输出电容(Typ.Coss.eff=60pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 16.94838 | 16.94838 |
10+ | 15.23906 | 152.39062 |
100+ | 12.24702 | 1224.70200 |
500+ | 10.06241 | 5031.20800 |
1000+ | 9.14763 | 9147.63800 |
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特征
•650 V@TJ=150℃
•典型值。RDS(开启)=530 mΩ
•超低栅极电荷(典型Qg=23 nC)
•低有效输出电容(典型cos(eff.)=60 pF)
•100%雪崩测试
•符合RoHS
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