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FDS4770

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.2A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 116

数量 单价 合计
116+ 18.83154 2184.45864
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 67 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 2.5W(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 13.2A(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.5毫欧姆 @ 13.2A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2819 pF@20 V

FDS4770 产品详情

FDS4770所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDS4770 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS4770价格参考¥18.831540,你可以下载 FDS4770中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS4770规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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