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AUIRLS3034-7P是MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P，包括管封装，它们设计为以0.056438盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-263-7等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为380 W，其最大工作温度范围为+175 C，器件具有20 V的Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为380 a，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为1.7 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为120 nC。
AUIRLS3034-7TRL是MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET功率MOSFET，包括40V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.056438盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道，该器件还可以用作380 W Pd功耗。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-263-7封装盒，该器件具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为380 a。
AUIRLS3034-7TRR是MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET功率MOSFET，包括380 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表说明所示，该产品提供1信道等信道数量功能，封装盒设计用于to-263-7，以及卷筒封装，该器件也可以用作380W Pd功率耗散。此外，Rds漏极-源极电阻为1.4毫欧，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.056438盎司，Vds漏极源极击穿电压为40 V。
