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PSMN2R6-60PSQ是MOSFET N-CH 60V 150A TO-220,包括管封装,它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-220-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外,Pd功耗为326W,器件的下降时间为58ns,器件的上升时间为50ns,Id连续漏极电流为150A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V,Rds漏极源极电阻为5.6mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为87ns,典型接通延迟时间为32ns,Qg栅极电荷为140nC。
PSMN2R7-30PL是NXP制造的MOSFET N-CH 30V TO220AB。PSMN2R7-30PL在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 30V TO220AB。
PSMN2R8-40BS,带有NXP/PH制造的电路图。PSMN2R8-40BS在D2PAK封装中提供,是FET的一部分-单个。
PSMN2R8-40PS是NXP制造的MOSFET N-CH 40V TO220AB。PSMN2R8-40PS在TO-220-3封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 40V TO220AB。