9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17308Q3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17308Q3参考价格$100000。德州仪器CSD17308Q3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON。您可以下载CSD17308Q3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17307Q5A是MOSFET N-CH 30V 73A 8SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为700pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为14A（Ta）、73A（Tc），最大Id Vgs为10.5 mOhm@11A，8V，Vgs最大Id为1.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.2nC@4.5V，Pd功耗为3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.3V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.3ns，典型导通延迟时间为4.6ns，Qg栅极电荷为4nC，并且正向跨导Min为66S。
CSD17306Q5A是MOSFET N-CH 30V 100A 8SON，包括1.1 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于10 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，具有典型的开启延迟时间特性，如7.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为18.4 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD17306Q5A系列，Rds漏极-源极电阻为4.2mOhms，Qg栅极电荷为11.8nC，Pd功耗为3.2W，包装为卷轴式，封装盒为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为24 A，正向跨导最小值为105 S，配置为单一。
CSD17307带有TI制造的电路图。CSD17307采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
