9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFDC20PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFDC20PBF价格参考2.37000美元。Vishay Siliconix IRFDC20PBF封装/规格：MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP。您可以下载IRFDC20PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD9220PBF是MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP，包括管封装，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为560 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Rds漏极源极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为7.3ns，典型接通延迟时间为8.8ns，沟道模式为增强。
IRFD9210PBF是MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如11 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为12 ns，器件的漏极电阻为3欧姆Rds，器件具有1 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为HVMDIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为400mA，下降时间为12ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRFD9123是MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP，包括单配置，它们设计为在1 a Id连续漏电流下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1通道，封装盒设计为在DIP-4中工作，以及管封装，该器件也可以用作1.3W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为18nC，器件提供600 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，单位重量为0.022575 oz，Vds漏极/源极击穿电压为-100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V。
IRFD9210是由IR制造的MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP。IRFD92110可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH200V 0.4A4-DIP、P沟道200V 400mA（Ta）1W（Ta）通孔4-DIP、Hexdip、HVMDIP、Trans MOSFET P-CH200V 0.4A4-Pin HVMDIP。
