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FCPF067N65S3是MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm,包括管封装,它们设计用于单位重量为0.080072 oz的工作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供to-220F-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单一配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,该器件提供46 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为16 ns,上升时间为52 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-20 V,Id连续漏极电流为44 A,Vds漏极-源极击穿电压为650V,Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V,Rds导通漏极-漏极电阻为67mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为89ns,典型接通延迟时间为26ns,Qg栅极电荷为78nC,正向跨导最小值为29S,沟道模式为增强。
FCPAPERSM和用户指南,包括抛光膜类型,它们设计用于金刚石规范。
带电路图的FCPAPER5,包括抛光膜类型。