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STF15N60M2-EP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 14.41337 14.41337
10+ 12.92857 129.28577
100+ 10.39066 1039.06640
500+ 8.53706 4268.53050
1000+ 7.76091 7760.91200
  • 库存: 1776
  • 单价: ¥13.10965
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥14.41
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11A(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 最大功耗 25W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 590 pF @ 100 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 378毫欧姆 @ 5.5A, 10V

STF15N60M2-EP 产品详情

N通道MDmesh™ M5系列,STMicroelectronics

MDmesh M5功率MOSFET针对高功率PFC和PWM拓扑进行了优化。主要特征包括每个硅区域的低导通状态损耗和低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑和可靠的硬开关应用,如太阳能转换器、消费品电源和电子照明控制。

特色

  • 全球最佳RDS(on)*区域
  • 更高的VDSSrating和更高的dv/dt能力
  • 卓越的切换性能
  • 100%雪崩测试

STF15N60M2-EP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STF15N60M2-EP 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STF15N60M2-EP价格参考¥13.109649,你可以下载 STF15N60M2-EP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STF15N60M2-EP规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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