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NCP81253AMNTBG

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起订量: 3206

数量 单价 合计
3206+ 0.65186 2089.86636
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,089.87
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 技术 -
  • 场效应管类型 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -

NCP81253AMNTBG 产品详情

NCP81253AMNTBG是一款高性能的双MOSFET栅极驱动器,采用2 mm x 2 mm的小封装,经过优化,可驱动同步降压转换器中的高侧和低侧功率MOSFET的栅极。驱动器输出可通过三态PWM和EN输入置于高阻抗状态。NCP81253AMNTBG采用集成升压二极管封装,以减少外部组件的数量。当电源电压低时,VCC UVLO功能保证输出低。

特色

  • 内部自举二极管
  • 减少外部组件的数量
  • 5 V 3级PWM输入
  • 允许高阻抗状态
  • 自适应抗交叉传导电路
  • 在FET开启和关闭期间防止交叉传导
  • 二极管制动能力
  • 快速降低感应器电流
  • 输出禁用控制
  • 通过Enable引脚关闭两个MOSFET的能力
  • VCC欠压锁定
  • 当电源电压低时,保证输出低

应用

  • 笔记本电脑和桌面系统的电源解决方案
NCP81253AMNTBG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NCP81253AMNTBG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP81253AMNTBG价格参考¥0.651861,你可以下载 NCP81253AMNTBG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP81253AMNTBG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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