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IPP65R380C6是MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP65R480C6XK IPP55R380C6XKSA1 SP000785082中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10.6A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110nS，Qg栅极电荷为39nC。
IPP65R420CFD是MOSFET N-Ch 650V 8.7A TO220-3 CoolMOS CFD2，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS CFD2系列，该器件具有7 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为420 mOhms，Qg栅极电荷为32 nC，Pd功耗为83.3 W，部件别名为IPP65R420CFDXK IPP65R520CFDXKSA1 SP000876824，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，Id连续漏电流为8.7A，下降时间为8ns，配置为单。
IPP65R380E6是MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220，包括10.6 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，提供安装类型功能，如通孔，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-220-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，零件别名为IPP65R380E6XK IPP65R180E6XKSA1 SP000795280，该器件提供83 W Pd功耗，该器件具有340 mOhms的漏极-源极电阻，系列为CoolMOS E6，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Vgs栅极-源极电压为20V。
