9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP034N03LG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP034N03LG参考价格为0.60000美元。Infineon Technologies IPP034N03LG封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载IPP034N03LG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPPC034N03L G是MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPPC034NO3LGXK IPPC034NO 3LGXKSA1 SP000680772，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为94 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.4 ns，上升时间为6.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.4mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为9.2ns，沟道模式为增强。
IPP332N06N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IPP332N06，器件的上升时间为120 ns，器件的漏极-源极电阻为2.6 mOhms，Qg栅极电荷为124 nC，Pd功耗为188 W，部件别名为G IPP332NO6N3 IPP332NO 6N3GXK SP000680770，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为120 A，正向跨导最小值为149 S，下降时间为20 ns，配置为单一。
IPP034N03L是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3。IPP034N03L采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3。
