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FDFS2P103

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 704

数量 单价 合计
704+ 3.11444 2192.57068
  • 库存: 29870
  • 单价: ¥3.11445
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,192.57
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 最大功耗 900mW (Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.3A (Ta)
  • 场效应管特性 肖特基二极管(隔离)
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 528 pF @ 15 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 59毫欧姆 @ 5.3A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8 nC @ 5 V

FDFS2P103 产品详情

FDFS2P103所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDFS2P103 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDFS2P103价格参考¥3.114447,你可以下载 FDFS2P103中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDFS2P103规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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